通过消除界面缺陷制备的低损耗硫系微结构光纤 - 硫系玻璃 | 宁波大学红外材料及器件实验室
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通过消除界面缺陷制备的低损耗硫系微结构光纤
作者: irglass 时间: 2023-12-12 浏览:224 次

       近日,我室研究生梁亚琛(第一作者)和刘自军研究员(通讯作者)在期刊Optics Express(IF=3.8)上发表题为“Low-loss chalcogenide microstructured optical fibers prepared by eliminating interfaces defects”的论文(https://doi.org/10.1364/OE.495937)。

       由于硫系玻璃在中红外窗口宽,生产具有低光学损耗的硫系微结构光纤,可以在各种研究领域取得新的突破,如中红外激光源。然而,硫系微结构光纤(ChG-MOFs)的损耗普遍高于阶跃光纤,主要是由于光纤预制棒制备方法不成熟和波导缺陷散射强所致。本文采用计算机控制的精密钻孔法制备硫系PCF预制棒,辅以化学抛光,然后从理论和实验上研究了MOFs气孔缺陷引入的散射损耗特性。随着缺陷的消除,硫系PCF的损耗降低,抗弯强度也得到明显提高。

       首先研究了化学刻蚀法的具体使用参数,研究过程和结果如图一所示,接着展开了表面残留物的去除工作。然后,从理论上研究了ChG-MOFs缺陷层引起的散射损耗,如图二所示。使用精密钻孔法制备了单模光子晶体光纤(PCF),验证了化学抛光对降低光纤损耗的影响,实验结果与理论相呼应,如图三所示。实验结果表明,PCF平均损耗从8 dB/m以上降低到2 dB/m以下,最小损耗达到0.8 dB/m@2.7 μm。同时,化学抛光后的PCF弯曲强度也明显提高。

图一、玻璃化学抛光10、15、30 min后,(a)、(b)、(c)为SEM图像,(d)、(e)、(f)为三维显微图像

图二、无缺陷层PCF的(a)截面和(b)基模,有缺陷层PCF的(c)截面和(d)基模,(e)缺陷层(f)模拟损耗图

图三、抛光前后PCF的损失曲线