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基于微热极化技术制备GeS2-Ga2S3-AgI表面红外衍射光学元件
作者: irglass 时间: 2020-03-18 浏览:3,667 次

近日,我室亓东锋副研究员(通讯作者)与上海大学杨光副教授合作在Ceramics International 46 (2020) 9030–9039期刊上发表了题为Ultralow voltage imprinting in GeS2–Ga2S3–AgI glasses for visible to middle-infrared diffraction gratings的论文。

    衍射光学元件的特点是能够在保持较高衍射效率的同时对光强分布进行精确控制,因此衍射光学元件成为实现离轴照明的理想元件。本论文研究了在低温(473K)、低极化电压(~125 V)条件下,采用微热极化法在卤化硫玻璃上制备衍射光学元件(diffractive optical element)。此衍射光学元件作用区间覆盖可见到中红外区域;文章中详细研究了极化电压对衍射光学元件(DOE)表面形貌、光学衍射、光学透过率和阳极表面结构重构的影响。

图1. 光学表面形貌:(a)阳极镍网格(周期D = 25μm);(b)不同极化电压对表面DOE形貌的影响:50 V, 75 V, 100 V, 125 V, 150 V。

图2. 光学衍射模式图像:(a)阳极镍网格(晶格常数D = 25μm),(b-f)不同极化电压作用下制备衍射光栅的衍射图像:50 V, 75 V, 100 V, 125 V, 150 V,入射波长:634nm。