近日，我室马文强研究生、研究人员张培晴副研究员（第一通信作者）在OPTICS EXPRESS（vol.27，No.21:30090-30101）发表了“飞秒激光直写As2Se3薄膜光栅及其折射率变化的研究”成果。

      在利用飞秒激光进行光子器件的设计与刻写时，折射率变化是非常重要的参数之一，能在很大程度上决定光子器件的性能，因此，研究飞秒激光参数与硫系薄膜折射率调制度变化的关系是非常必要的。该研究首先通过刻写单条线的方式确定了激光的损伤阈值（图1），进而在不同功率下刻写了衍射光栅（图2），并在632.6nm、808nm和SC（400~2000nm）光源下测试了衍射效率，发现在激光功率为30nJ时808nm处1级衍射效率高达30%（图3）。根据Kogelnik理论由衍射效率反推了其折射率变化，两者在趋势上取得了很好的一致性，最大的折射率变化为0.087。为了对比在可见光强吸收区域折射率和吸收的变化对衍射效率的影响，该研究在相同功率下刻写一块均匀区域，并测量了其透过率的变化，进而通过Swanepoel方法计算得到了其折射率和吸收系数的变化。经过对比，即使是在强吸收区域，折射率变化对衍射效率的影响仍然处于主导地位。

图1

图2

图3