2019年8月27日，河北工业大学张紫辉教授一行来我室访问，并在高研院238会议室做了题为“Numerical modelling and experimental demonstration for Nitride and SiC optoelectronic and electronic devices”的学术报告。报告中，张教授就氮化物半导体材料外延生长、LED芯片工艺(正装芯片、倒装芯片和垂直芯片)、材料物理、器件物理和器件仿真等方面展开了详细介绍。报告中提出了具有高度创新的器件物理，并且从理论和实验层面证实了诸多新型LED器件结构。针对氮化物LED目前面临的电子逃逸、空穴注入效率低、电流拥挤、p-型欧姆接触、俄歇复合、量子阱区量子限制斯塔克效应等问题提出了解决方案。交流期间，张教授还参观了我室分析测试中心、薄膜制备沉积实验室、以及器件组装实验室等，并表示希望以后在半导体材料及器件方面开展合作研究。

报告人简介：

张紫辉 教授，现任职于河北工业大学（天津）电子信息工程学院学院，微纳光电子与电磁技术创新研究所、天津市电子材料与器件重点实验室。第七批河北省“百人计划”省级特聘教授、第二批河北省“青年拔尖人才”。近4年内，已经在Applied Physics Letters、Journal of Applied Physics、IEEE、Optics Express、Optics Letters等领域内顶尖SCI期刊发表科研论文40多篇，其中以第一作者/通讯作者发表文章23篇(包括综述文章1篇)，总影响因子已达130，总引用次数已达400次，单篇最高引用次数达40次，H-因子为10；受邀以第一作者身份分别为2部学术专著(Handbook of GaN Semiconductor Materials and Devices, Handbook for Solid-State Lighting and LEDs，均由英国Taylor & Francis Group于2017年出版)各自撰写章节1章；申请国内外专利技术15项(其中4项专利已经分别获得美国、新加坡、土耳其授权)。

研究工作先后9次分别被英国《今日半导体-Semiconductor Today》杂志、美国Applied Physics Letters、德国Wiley杂志社做专门报道，或被列为主题文章(feature article)、封面文章(Front Cover)。目前承担国际级、省部级课题及人才项目5项，作为骨干人员参与科技部重点研发计划子课题1项。目前担任Optics Letters、Optics Material Express、Optics Express、IEEE/OSA Journal of Display Technology、Journal of Applied Physics、Applied Physics Letters、中国半导体学报等期刊的特邀审稿专家。